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TK3P50D参数,中文材料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

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TK3P50D,TO-252

TK3P50D场反应管装封TO-252

封装情势与电路标记

特色

旋钮交流稳压器(1) 低漏源导通电阻器:RDS(ON)=2.3Ω(杰出值)(2) 高前向转回导纳:|Yfs|=1.0S(经典故事值)(3) 低泄感应电流:IDSS=10µA(最大程度值)(VDS=500 V)(4) 带动风格:Vth=2.4至4.4V(VDS=10V,ID=1mA)

相对最大额外值(TC=25°C,除非还有申明)

漏源的电压(VDSS):500V栅源工作电压(VGSS):±30V雪崩电流量(IAR):3A漏极直流电-长期(TJ=25°C)(ID):3A漏极电流值-脉宽(IDM):6A单电磁雪崩能力(EAS):81mJ间断性雪崩能量是什么(EAR):6mJ工作频率(TC=25°C)(PD):60W级任务与储放溫度面积(TJ,TSTG):-55~150°С散热量-结到硬壳(RθJC):2.08°C/W热导率-结到环境(RθJA):125°C/W

相对最大额外值

TO-252封装

〔壹芯微〕香港国际公率半导生产销售商,经营范围多种贴片与直插,场因素管、三级𝓰管、MOS(场因素管)、三极管调光硅、三端稳压管、整流桥,IC(集成系统线路);技术指标达到标准,产品品保修证,创意工厂真销(价省20%),算钱送样,调试删除,技艺撑持,专科售后维修点,如需深刻领会有机物慨况或一览表价钱,招待官方网络客服中心。

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