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SVF3N50D参数,中文材料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

前往列表来历:壹芯微 宣布日期 2020-12-25 浏览:-

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SVF3N50D,TO-252

SVF3N50D场相应管封装类型TO-252,TO-251

封装情势与电路图标记

描写

SVF3N50D/MJ,N沟道开展型直流直流油田电率MOS场定律单晶体管得到F-CellTM制做直流直流油田VDMOS流程设计技艺制作方法。不断进步老员工的流程设计及原胞布局图会使该生成物具备着较低的导通阻值、优越的旋钮功能及很高 的雪崩穿透耐量。 该生成物可都操作于AC-DC旋钮24v供电,DC-DC24v供电互转器,直流直流油田H桥PWM电机马达安装驱动。

特征
3A,500V,RDS(on)(典范值)=2.7?@VGS=10V

· 低栅极自由电荷量· 低反相无线传输电容器· 按钮开关波特率快· 升职了dv/dt才会

相对最大额外值(TC=25°C,除非还有申明)

漏源输出功率(VDSS):500V栅源电阻值(VGSS):±30V漏极工作电流-持续保持(TJ=25°C)(ID):3.0A漏极感应电流-一直(TJ=100°C)(ID):1.9A漏极电流量-脉冲发生器(IDM):12.0A单输入脉冲雪崩电量(EAS):120mJ耗电(TC=25°C)(PD):34W世界任务与处理气温大小(TJ,TSTG):-55~+150°С散热量-结到设备壳(RθJC):3.7°C/W导热系数-结到症状(RθJA):62.0°C/W

相对最大额外值

热阻特征

热阻特征

电气参数

【4】配图.jpg

漏源二极管特征参数

【5】配图.jpg

封装形状图

【6】配图.jpg

〔壹芯微〕时代国际功效光电器件做生产厂家,主营产品多种多样贴片与直插,二级管、三级管、MO📖S(场滞后效应管)、可以操控的硅、三端稳压管、整流桥,IC(集成式控制电路);叁数符合标准,品行 保障,创意工厂自销(价省20%🍃),计量送样,选择替代,学手艺撑持,专业技术售服,如需深刻领会物质简况或最新信息价格多少,接待厅网官线在线客服咨询。

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