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STD3NK50Z参数,中文材料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

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STD3NK50Z,TO-252

STD3NK50Z场反应管装封TO-252,TO-251,TO-92,

封装情势与电路标记

特色

· 楷模 RDS(on)=2.8Ω· 良好的dv/dt才可· ESD换代就要)· 100%雪崩检测· 新的直流高压原则· 栅极电荷量最高化

相对最大额外值(TC=25°C,除非还有申明)

漏源电压降(VDSS):500V栅源的电压(VGSS):±30V漏极电压-长期(TJ=25°C)(ID)(TO-252/TO-251):2.3A(TO-92):0.5A漏极直流电-激光脉冲(IDM)(TO-252/TO-251):9.2A(TO-92):2A功能消耗(TC=25°C)(PD)(TO-252/TO-251):45W(TO-92):3W二级管规复顶值(dv/dt):4.5V/ns工作与存放温湿度面积(TJ,TSTG):-55~150°С热导率-结到塑料壳(RθJC)(TO-252/TO-251):2.77°C/W热扩散系数-结到症状(RθJA)(TO-252):50(#)(TO-251):100(TO-92):-

相对最大额外值(TC=25°C,除非还有申明)

【3】配图.jpg

【4】配图.jpg

【5】配图.jpg

〔壹芯微〕国际联盟工率半导体技术生产销售商,营业项目很多贴片与直插,场相互作用管、三级管、MOS(场相互作用管)、可以操控的硅、三端稳压管、整流桥,IC(模块化电路原理);性能参数不合格,的质量 保障,工厂直销模式(价省20%),报价送样,选用复制,一技之长撑持,正规售后服务,如需学透有机物概貌或最新信息报价表,接受人工服务电话在线免费人工🌼服务。

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