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IRFR420A参数,中文材料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

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IRFR420A,TO-252

IRFR420A场定律管封装类型TO-252,TO-251

封装情势与电路图标记

特色

• 低栅极电势Qg造成简括控制ajax请求• 的改进的门限、雪崩和外部dV/dt坚毅性• 努力分析方法电阻和雪崩直流电压和直流电压• 设定实用成本• 建材分类别:用以安全性界说

操纵

• 开关按钮供电(SMPS)• 不终止开关电源提供了• 速度电源适配器调节

相对最大额外值(TC=25°C,除非还有申明)

漏源直流电压(VDSS):500V栅源电压电流(VGSS):±30V雪崩瞬时电流(IAR):2.5A漏极直流电压-延续(TJ=25°C)(ID):3.3A漏极电压电流-不断地(TJ=100°C)(ID):2.1A漏极瞬时电流-脉宽(IDM):10A单脉冲发生器雪崩能量消耗(EAS):140mJ间断性雪崩激光能量(EAR):5.0mJ电子元器件大家庭中的一员-二极管规复谷值(dv/dt):3.4V/ns输出功率(TC=25°C)(PD):83W神器任务与店铺温差大小(TJ,TSTG):-55~+150°С导热系数-结到外层(RθJC):1.5°C/W散热量-结到具体情况(RθJA):62°C/W电焊焊接的高引线湿度(TL):300°С

相对最大额外值

耐热品级

规格(TJ=25 °C,除非还有申明)

【3】配图.jpg

TO-252封装

【4】配图.jpg

TO-251封装

【5】配图.jpg

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