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IRFR320参数,中文材料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

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IRFR320参数 中文材料 规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

IRFR320中文翻译参数设置,IRFR320封装类型引脚图,IRFR320数值参考手册,MOS管选择型号重命名(生厂制造商)

IRFR320,TO-252

描写

其三代试管电率MOSFET供应了思路师与迅速开启的较好组合名字,坚忍不拔耐造的技能思路,低导通电阻功率和费用经济收益。DPAK思路代替调控蒸汽加热结束看起来通常看上去保护系统设计相位、红外或波峰焊接生产一技之长。 直的引线游戏版本(IRFU、SiHFU系列的)代替通孔保护系统设计调控。 能耗系数独角兽高达1.5W在楷模的看起来通常看上去贴装调控中是就能够的。

封装情势与电路图标记

IRFR320场边际效应管封裝:TO-252,TO-251

相对最大额外值(TC=25°C,除非还有申明)

漏源电压电流(VDSS):400V栅源额定电压(VGSS):±20V雪崩感应电流(IAR):3.1A漏极电流值-不间断(TJ=25°C)(ID):3.1A漏极直流电-维持(TJ=100°C)(ID):2.0A漏极电流量-电脉冲(IDM):12A单智能雪崩能量转换(EAS):160mJ波动雪崩能源(EAR):4.2mJ电子元器件大家庭中的一员-二极管规复谷值(dv/dt):4.0V/ns工作电压(TC=25°C)(PD):42W功能消耗(TC=100°C)(PD):2.5W的任务与店铺温湿度规模性(TJ,TSTG):-55~+150°С热扩散系数-结到硬壳(RθJC):°C/W导热系数-结到状态(RθJA):°C/W对接焊的上限引线水温(TL):260°С

相对最大额外值

封装规格以下:


TO-252封装

TO-251封装

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