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HFD5N40,TO-252,中文参数,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

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HFD5N40,TO-252

特征

· 原标新立异构想· 精湛的雪崩坚韧工艺· 转型升级的栅极阳极氧化活儿· 过低的僵板电解电容· 非常好的按钮有特点· 不相上的栅极自由电荷:13 nC(杰出值)· 壮大安静支配区· 下跌 RDS(ON) ? 7\S #9GS=10V· 100% 雪崩测试仪

封装情势与电路图标记

相对最大额外值(TC=25°C,除非还有申明)

漏源电压值(VDSS):400V栅源工作电压(VGSS):±30V雪崩电流大小(IAR):3.4A漏极工作电流-继续(TJ=25°C)(ID):3.4A漏极电流大小-持续不断(TJ=100°C)(ID):2.15A漏极直流电-智能(IDM):13.6A单智能雪崩热量(EAS):510mJ出现雪崩电能(EAR):4.5mJ整流二极管规复最高值(dv/dt):4.5V/ns耗电量(TC=25°C)(PD):2.5W额定功率(TC=25°C上述)(PD):0.36W世界任务与补充温规模化(TJ,TSTG):-55~+150°С导热系数-结到塑料外壳(RθJC):2.78°C/W传热系数-结到状况(RθJA)*:50°C/W散热量-结到情況(RθJA):110°C/W手工焊接的极高引线水温(TL):300°С

相对最大额外值

相对的大特别值

电气特征

电力电气特征英文

TO-252封装

TO-252封装形式

TO-251封装

TO-251芯片封装

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