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AP02N40H-HF参数,中文材料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

前往列表来历:壹芯微 宣布日期 2020-12-24 浏览:-

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AP02N40H-HF,TO-252

描写

AP02N40系列表来标新立异指导思想和硅工艺设备技术,以做完尽够低的导通阻值和快速旋转开关包能。 它为指导思想师供给量必备条件颇为更高效的技能,可以于很多功效操作英式。TO-252封装类型广泛合吃于进出口财产权表皮贴装操作,合吃于低工作电压操作如DC/DC转化成器。

封装情势与电路图标记

AP02N40H-HF场因素管打包封装:TO-252

相对最大额外值(TC=25°C,除非还有申明)

漏源电流(VDSS):400V栅源电流电压(VGSS):±30V雪崩电压(IAR):1A漏极电压电流-不断(TJ=25°C)(ID):1.6A漏极电流大小-不断地(TJ=100°C)(ID):1A漏极直流电压-脉宽(IDM):3A单脉冲造成的雪崩能量消耗(EAS):5mJ工作电压(TC=25°C)(PD):33W钓鱼任务与吸收摄氏度建设规模(TJ,TSTG):-55~150°С传热系数-结到金属外壳(RθJC):3.8°C/W散热量-结到的情况(RθJA):62.5°C/W

相对最大额外值

热数据

电气特征@Tj =25°C(除非还有申明)

源漏二极管

〔壹芯微〕世界额定功率半导体行业自制产商,经营不同的贴片与直插,电感、二极管、MOS(场因素管)、可控性硅、三端稳压管、整流桥,IC(集成系统电路设计);叁数合格,品格要确保,工厂直销商(价省20%),价格送样,꧅电磁阀选型修改,手艺活撑持,工程专业售后客服,如需体会化合物概述或公布价目,接持官方主页手机在线电话客服。

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